Vysokie tehnologii: algoritm uprawleniq weschestwom

Izlagaütsq osnowy teoreticheskogo opisaniq älektronnogo stroeniq weschestwa, wystupaüschie w kachestwe ishodnyh polozhenij dlq nauchno-metodicheskogo obespecheniq i soprowozhdeniq wysokih tehnologij. Predlagaemyj podhod k postroeniü prognosticheskoj teorii osnowan na obuslowlennosti swojstw weschestwa sostawom i älektronnoj strukturoj sostawlqüschih ego mikrochastic. Klüchewym zwenom teorii wystupaet atom, kotoryj neset geneticheskuü informaciü o strukturoobrazowanii weschestwa. Jelektronnoe stroenie atomow predopredelqet prirodu i mehanizm formirowaniq kowalentnoj swqzi kak fundamental'nogo qwleniq, lezhaschego w osnowe strukturoobrazowaniq molekul i himicheskih soedinenij, a takzhe bol'shogo klassa neorganicheskih weschestw. V swoü ochered' älektronnoe stroenie molekul predopredelqet prirodu i mehanizm formirowaniq newalentnyh (fizicheskih) swqzej kak fundamental'nogo qwleniq, lezhaschego w osnowe strukturoobrazowaniq bol'shogo klassa organicheskih weschestw. Predlozhen rqd modelej fizicheskoj i himicheskoj swqzej, a takzhe sootwetstwuüschee teoreticheskoe opisanie, kotorye sluzhat fizicheskim obosnowaniem dlq postroeniq algoritma uprawleniq swojstwami weschestwa.