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Beschreibung
L'industria microelettronica si è spostata verso il regime di nanoscala che ha raggiunto bassa potenza e alta velocità di commutazione nei circuiti elettronici. Secondo l'International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, la tecnologia di oggi ha raggiunto una dimensione di feature sub-10nm e si sta muovendo verso 5.6nm. Per sostenere il down scaling non è solo essenziale sviluppare nuove architetture di dispositivi, ma potrebbe anche essere richiesto di sostituire il silicio. Intel ha sviluppato dispositivi basati su transistor tri-gate a 14nm di lunghezza del gate. I FET multi-gate e le strutture a transistor Nanowire si trovano adatti al di sotto del nodo tecnologico di 14nm. Tuttavia, i Nanowire verticali sviluppati con materiali composti III-V, materiali di ossido di gate ad altä, e cancelli metallici con migliori prestazioni sono esplorati.
Dispositivi e circuiti a nanofili
Details
| Verlag | Edizioni Sapienza |
| Ersterscheinung | 26. Februar 2021 |
| Maße | 22 cm x 15 cm x 0.9 cm |
| Gewicht | 221 Gramm |
| Format | Softcover |
| ISBN-13 | 9786203368567 |
| Seiten | 136 |