Tonkoplenochnye materialy dlq fotoälektricheskih primenenij

Cel'ü dannoj raboty qwlqetsq izuchenie wozmozhnosti primeneniq w fotoälektricheskoj tehnologii binarnogo poluprowodnikowogo materiala s kremniem kak naibolee otzywchiwym poluprowodnikom w tehnologii solnechnyh batarej. Karbid kremniq soderzhit wazhnyj i shiroko ispol'zuemyj prowodnik ne tol'ko blagodarq swoim fizicheskim swojstwam, no i blagodarq fotoälektricheskim swojstwam, kotorye mogut byt' ispol'zowany w proizwodstwe qcheek pri razrabotke poluprowodnikowyh materialow dlq fotoälektricheskih tehnologij. Issledowanie sosredotocheno na binarnoj sostawlqüschej kremnij-uglerod, nachinaq s fundamental'nogo issledowaniq strukturnyh i älektronnyh swojstw SiC pod kodom Wien2k; chislennoe modelirowanie s pomosch'ü SCAPS-1D dwuh form PN i PiN na osnowe SiC i 3C-SiC bolee tochno predstawilo adekwatnyj process dlq wybora naibolee podhodqschego materiala w kachestwe prozrachnogo sloq s ätim materialom i, takim obrazom, pozwolqüschij poluchit' luchshij wyhod ätoj fotogal'wanicheskoj qchejki, prewyshaüschij 20 %. Izuchenie nekotoryh parametrow, igraüschih wazhnuü rol' w sowershenstwowanii.