Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej

Niniejsza praca jest po¿wi¿cona analizie termodynamicznej procesów fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych zwi¿zku pó¿przewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w uk¿adzie przep¿ywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu procesów technologicznych w celu prognozowania mo¿liwych wariantów technologicznych i okre¿lenia optymalnych warunków syntezy tego zwi¿zku. Podano wyniki badä nad definiowaniem i obliczaniem parametrów termodynamicznych poszczególnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu procesów wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano zwi¿zek pomi¿dzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi ¿ród¿ami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametrów technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w uk¿adzie transportu gazu przep¿ywowego z wydzielonymi ¿ród¿ami galu i selenu.