Teplowoj transport w Stanene/2D-SiC Van Der Vaals Geterostruktura

Teplowoe uprawlenie qwlqetsq odnoj iz klüchewyh zadach w oblasti nanoälektronnyh i optoälektronnyh ustrojstw. Razrabotka geterostruktury Van-der-Vaal'sa (vdWH) s ispol'zowaniem wertikal'nogo pozicionirowaniq razlichnyh dwumernyh (2D) materialow w poslednee wremq poqwilas' kak perspektiwnyj sposob dostizheniq zhelaemyh älektricheskih, opticheskih i teplowyh swojstw. Sowsem nedawno byl predlozhen nowyj geterostobilowyj sloj stanene/2D-SiC s isklüchitel'nymi älektricheskimi swojstwami, kotoryj mog by sdelat' ätot geterostobilowyj sloj horoshim kandidatom dlq special'nyh primenenij w nanoälektronike i optoälektronike. V ätoj knige s pomosch'ü obratnoj nerawnowesnoj molekulqrnoj dinamiki i metodow perehodnyh nasosnyh zondow ob#qsnqütsq ploskostnaq teploprowodnost' (k) i wneploskostnoe mezhfaznoe termicheskoe soprotiwlenie (R) w ätom geterobelowom sloe. Sistematicheski issleduetsq wliqnie temperatury, razmerow sistemy i äffekta scepleniq na teplowoj transport. Obsuzhdaütsq takzhe razlichnye fononnye rezhimy, otwechaüschie za teplowoj perenos.