Tellurure de Cadmium amorphe oxygénéa-CdTe:O

L'étude de l'influence de différents paramètres de dépôt sur les propriétés des couches minces de CdTe permet de mettre au point une méthode de préparation d'un nouveau matériau par pulvérisation cathodique diode radiofréquence. Il s'agit du tellurure de cadmium amorphe oxygéné a-CdTe:O. Le dépôt de couches minces de a-CdTe:O, à partir d'une cible polycristalline de CdTe, nécessite l'utilisation d'un plasma à haut pouvoir oxydant formé à partir d'argon, de dioxygène et de diazote. L¿utilisation de méthodes de caractérisation comme la spectrométrie dans le domaine optique, la spectrométrie de fluorescence X, la diffraction des rayons X sous incidence rasante et la réflectométrie des rayons X, permettent de déterminer certaines des propriétés de ces couches et d¿établir le lien avec leur structure. Pousser les conditions d'oxydation à l'extrême, permet de mettre au point une technique de croissance de CdTeO3 polycristallin, oxyde stable et transparent dans le visible, sur du CdTe polycristallin.