Synthese und Charakterisierung von Nanomaterialien

ZnO ist ein typischer II-IV-Halbleiter mit hervorragenden elektrischen, optischen und chemischen Eigenschaften und einer Bandlückenenergie (EG) von 3,1-3,4 eV. Es hat eine sehr große Anregungsbindungsenergie von 60 meV bei Raumtemperatur, was der von TiO2 sehr nahe kommt. Aufgrund seiner hohen Lichtempfindlichkeit und chemischen Stabilität wird es als besser für Photokatalyse-Anwendungen geeignet angesehen. In jüngster Zeit wurde besonderes Interesse an seiner Morphologie gezeigt, da ZnO verschiedene Nanostrukturen bilden kann, die für eine Vielzahl von Anwendungen in UV-abschirmenden Materialien, Gassensoren, Biosensoren, Halbleitern, piezoelektrischen Bauelementen, Feldemissionsanzeigen, photokatalytischen Abbau von Schadstoffen und antimikrobiellen Behandlungen geeignet sind.