Silowye diody i tranzistory na osnowe karbida kremniq

V knige obobscheny rezul'taty issledowanij po sozdaniü silowyh poluprowodnikowyh priborow na osnowe karbida kremniq (SiC) i rassmotreny osobennosti ih raboty. Priwedeny warianty konstrukcij i osnownye harakteristiki silowyh poluprowodnikowyh priborow na osnowe karbida kremniq - diodow Shottki i tranzistorow (bipolqrnyh, polewyh, s uprawlqüschim p-n-perehodom, s izolirowannym zatworom i dr.). Predstawlen obzor bol'shogo massiwa sowremennyh äxperimental'nyh i teoreticheskih rezul'tatow po silowym poluprowodnikowym priboram na osnowe SiC (raschetow prqmyh i obratnyh wol't-ampernyh harakteristik diodow Shottki, osobennostej «ohrannyh sistem», harakteristik obratnogo wosstanowleniq, soprotiwleniq diodow pri prqmom wklüchenii, wliqniq materialow anoda na wol't-ampernye harakteristiki diodow Shottki, raschety prostranstwennogo raspredeleniq swobodnyh älektronow w MOP-tranzistorah so wstroennym n-kanalom na osnowe 4H-SiC i dr.). Dlq nauchnyh rabotnikow i inzhenerow, zanimaüschihsq issledowaniqmi w oblasti fiziki poluprowodnikow, silowoj älektroniki, fiziki twerdogo tela, a takzhe studentow i aspirantow, specializiruüschihsq w ätih oblastqh.