Rost i harakteristika kristallow

Rost odnogo poluprowodnika na drugom izwesten kak process geteroäpitaxii, kotoryj pozwolil sozdat' shirokij spektr tak nazywaemyh geteroäpitaxial'nyh priborow, takih kak swetoizluchaüschie diody wysokoj qrkosti, lazery i wysokochastotnye tranzistory. Razrabotka ustrojstw s ispol'zowaniem drugih materialow osnowana na wybore podlozhki i predstawlena kombinaciej äpitaxial'nyj sloj/podlozhka. Takoe sochetanie s pomosch'ü processa rosta trebuet realizacii maximal'noj himicheskoj i kristallograficheskoj sowmestimosti, pri kotoroj kristallograficheskaq orientaciq sloq tochno opredelqetsq kristallom podlozhki. Struktura powerhnosti kristalla-podlozhki mozhet okazywat' wazhnoe wliqnie na swojstwa äpitaxial'nogo kristalla. S drugoj storony, gomoäpitaxiq - äto drugoj process, otlichaüschijsq ot geteroäpitaxii, esli podlozhka i sloj imeüt odinakowyj himicheskij sostaw, my goworim o gomoäpitaxii, naprimer, GaAs/GaAs, i goworim o geteroäpitaxii, esli sloj/podlozhka imeüt raznyj himicheskij sostaw, naprimer, InP/GaAs. Jeti materialy ispol'zuütsq dlq proizwodstwa swetodiodow wysokogo kachestwa i tranzistorow s wysokoj podwizhnost'ü.