Razwitie tehnologij na osnowe poluprowodnikow na osnowe nitridow galliq

III-nitridnye poluprowodniki, w chastnosti materialy na osnowe GaN, wklüchaq binarnyj GaN i rodstwennye splawy s InN i AlN, takie kak trojnoj AlGaN i InGaN, a takzhe chetwernoj InAlGaN, intensiwno issledowalis' w poslednie gody iz-za potencial'nogo primeneniq w optoälektronnyh ustrojstwah, rabotaüschih w korotkowolnowom spektral'nom diapazone i w älektronnyh ustrojstwah wysokoj moschnosti i wysokoj temperatury. Materialy na osnowe GaN takzhe ideal'no podhodqt dlq izgotowleniq wysokochuwstwitel'nyh i slepyh UF detektorow w widimom diapazone iz-za unikal'nyh swojstw, wklüchaüschih shirokuü i prqmuü polosu propuskaniq, wysokie koäfficienty pogloscheniq i rezkij srez dliny wolny detektirowaniq. Vysokoe naprqzhenie proboq i wysokaq skorost' nasyscheniq takzhe pozwolqüt ispol'zowat' materialy na osnowe GaN dlq wysokoskorostnoj raboty ustrojstw i prilozhenij wysokoj moschnosti, takih kak usiliteli moschnosti dlq besprowodnyh bazowyh stancij, maloshumqschie usiliteli i moschnye pereklüchateli. Esche odnim wazhnym primeneniem materialow na osnowe GaN qwlqütsq sensornye ustrojstwa, osobenno w zhestkih uslowiqh äxpluatacii blagodarq wysokoj termicheskoj i himicheskoj stabil'nosti ätih materialow.