Puteshestwie w naprawlenii Nanowirsa

Mikroälektronnaq promyshlennost' pereshla k rezhimu nanorazmerow, kotoryj obespechil nizkuü moschnost' i wysokuü skorost' pereklücheniq w älektronnyh shemah. Soglasno mezhdunarodnoj tehnologicheskoj dorozhnoj karte dlq poluprowodnikow ITRS-2020, segodnqshnqq tehnologiq dostigla razmera sub-10 nm i dwizhetsq w naprawlenii 5.6 nm. Dlq togo, chtoby podderzhiwat' snizhenie masshtaba, neobhodimo ne tol'ko razrabotat' nowye arhitektury ustrojstw, no i mozhet potrebowat'sq zamena kremniq. Korporaciq Intel razrabotala tranzistornye ustrojstwa na baze treh zatworow s dlinoj zatwora 14 nm. Mnogozatwornye tranzistory FET i tranzistornye struktury Nanowire podhodqt dlq uzlow s dlinoj zatwora menee 14 nm. Tem ne menee, izucheny wozmozhnosti wertikal'nyh Nanowire, razrabotannyh s ispol'zowaniem sostawnyh materialow III-V, wysokö oxidnyh materialow zatwora i metallicheskih zatworow s uluchshennymi äxpluatacionnymi harakteristikami.