PROPRIEDADES ÓPTICAS E ELECTRÓNICAS DOS SEMICONDUTORES DO GRUPO II-VI

Nos semicondutores, duas propriedades básicas, a saber, a diferença de energia e o índice de refracção, determinam principalmente o seu funcionamento óptico e electrónico. O índice de refração de um material normalmente diminui com um aumento do gap de energia, promovendo uma relação subjacente entre estas duas grandezas fundamentais. Tem havido muitas tentativas de correlacionar essas duas grandezas com uma relação empírica ou semi-empírica adequada. O índice de refração e o gap de energia dos semicondutores representam dois aspectos físicos fundamentais que caracterizam suas propriedades ópticas e eletrônicas. No presente trabalho, tenho investigado algumas das propriedades ópticas e eletrônicas dos semicondutores do grupo II-VI. Os compostos II-VI estão sendo amplamente utilizados em detectores infravermelhos, transistores bipolares de ultra-alta velocidade, comunicações por fibra óptica e dispositivos avançados de microondas. Estes materiais possuem o gap de banda direta apropriado para produzir diodos emissores de luz e lasers de comprimento de onda de azul a vermelho. Estes materiais são caracterizados por diferentes graus de ionicidade, o que os torna adequados para o acoplamento eletro-ótico e eletromecânico de alto nível. Os semicondutores de banda larga II-VI são utilizados em dispositivos optoeletrônicos.