Propriedades Electrónicas e Dieléctricas do Grafeno e do Óxido de Grafeno

Este trabalho estabelece que as propriedades eletrônicas e dielétricas dependentes da freqüência e temperatura do grafeno reduzido eletroquimicamente (ERGO) são superiores aos papéis de óxido de grafeno (GO) em 2 ordens de grandeza. Há uma polarização mais forte como resultado do aumento da concentração de grupos reduzidos e do desbaste de folhas de grafeno em papéis ERGO, o primeiro papel reduzido eletroquimicamente a partir de GO. Em GO, há uma maior dependência de frequência devido a uma maior percentagem de títulos O-H entre camadas. A permissividade dieléctrica aumenta com a diminuição da frequência devido a uma polarização mais forte e a perdas de condução reduzidas. Em frequências muito altas, maiores perdas de condutibilidade são responsáveis por menores valores de permissividade dielétrica dos papéis ERGO em comparação com os papéis GO. O perfil de condutividade dependente da temperatura foi devido ao transporte termicamente ativado, tempo de residência e dispersão iônica dos portadores de carga. A recuperação das propriedades condutoras e dielétricas a temperaturas mais elevadas deveu-se à transição de um sistema multi-nano-capacitor dielétrico de grafite-ion-cluvem para um sistema multi-nano-capacitor de grafite-ar.