Photovoltaischer Effekt in einer ferroelektrischen Dünnschichtstruktur

Das Buch befasst sich mit der Untersuchung ferroelektrischer Oxidschichten, die in der Elektronik ein breites Anwendungsspektrum haben. In den letzten Jahren sind neue Entwicklungen von Oxid-Heterophasensystemen entstanden. Diese auf Oxidzusammensetzung basierenden Filme sind perspektivisch photovoltaisch für photoelektrische Wandler. Zu diesem Zweck eignet sich die Verwendung von Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) mit einem Überschuss an PbO. Diese Filme sind Heterophasensysteme, die aus ferroelektrischen PZT-Körnern und PbO bestehen, das an der Kristallitgrenze freigesetzt wird und Halbleiterkanäle zwischen den Elektroden bildet. Verschiedene Herstellungstechniken für PZT-Schichten wie RF-Sputtern, PLD, MOCVD und Sol-Gel-Methode wurden verglichen. Die Sol-Gel-Methode erwies sich aufgrund der niedrigen Temperatur, der ausgezeichneten Stöchiometrie, der einfachen Herstellung über große Flächen, der einfachen Integration in die bestehende Siliziumtechnologie und der niedrigen Kosten als die beste Methode.