Pamqt' SRAM s nizkim urownem utechki

Ya predstawlqü nekotorye metody umen'sheniq rasseiwaniq utechki na zatworah i drugih älementah w pamqti SRAM glubokogo submikronnogo diapazona. V ätoj knige podrobno rassmatriwaütsq operacii SRAM. V knige takzhe rassmatriwaütsq razlichnye wnutrennie mehanizmy utechki tranzistorow, wklüchaq slabuü inwersiü, ponizhenie bar'era, wyzwannoe stokom, utechku stoka, wyzwannuü zatworom, i tunnelirowanie oxida zatwora. Nakonec, w knige rassmatriwaütsq razlichnye shemotehnicheskie priemy dlq snizheniq potreblqemoj moschnosti utechki. Koäfficienty W/L rasschitywaütsq iz urawnenij toka w tranzistorah (linejnyj rezhim i rezhim nasyscheniq) dlq plawnoj operacii chteniq-zapisi kak 0, tak i 1. Ya ispol'zuü W1/W3 = 1,5 i W4/W6 = 1,5. Snachala q razrabotal obychnuü pamqt' SRAM i nablüdal za tokom utechki w razlichnyh tehnologiqh. Pri tehnologii 90 nm obychnaq SRAM pokazywaet tok utechki 1,87 nA w ustanowiwshemsq rezhime. Metod käsh-pamqti s uderzhaniem dannyh s zazemleniem (DGR-käsh) snizhaet tok utechki do 100 pA. Metod "dremlüschego" käsha snizhaet tok utechki do 84 pA.