Opredelenie koncentracii primesej w ochischennyh poluprowodnikah Ge i Si

Sredi bol'shogo klassa poluprowodnikowyh materialow suschestwuet nebol'shoe kolichestwo älementow, fizicheskie qwleniq w kotoryh, ne smotrq na bolee chem poluwekowuü istoriü issledowaniq, qwlqütsq predmetom postoqnnogo wsestoronnego wnimaniq. K nim otnosqtsq te poluprowodniki, tehnologiq polucheniq kotoryh pozwolqet sozdat' sowershennye po strukture monokristally s malym soderzhaniem ostatochnyh primesej, chto pozwolqet prowodit' lüboe dozirowannoe legirowanie i kompensaciü, to est' sozdanie poluprowodnikow s zadannymi parametrami. Poslednee obespechiwaet, s odnoj storony, shirokoe prakticheskoe ispol'zowanie ätih materialow, s drugoj - pozwolqet modelirowat' celyj rqd fizicheskih qwlenij.Kniga soderzhit celyj rqd parametrow i koäfficientow dlq Ge i Si, znacheniq kotoryh byli utochneny w rezul'tate mnogokratnyh izmerenij bol'shogo chisla obrazcow (bolee 200) w shirokom diapazone znachenij koncentracii primesi i stepeni ih kompensacii. Jeta informaciq mozhet byt' osobenno polezna tem nauchnym sotrudnikam i aspirantam, kotorye zanimaütsq poluprowodnikowoj metrikoj, tehnologam, poluchaüschim äti materialy i kontroliruüschim ih kachestwo, a takzhe studentam, interesuüschimsq poluprowodnikowoj tematikoj.