Op weg naar Nanodraden

De micro-elektronica-industrie is geëvolueerd naar het nanoschaalregime, waardoor elektronische circuits een laag vermogen en een hoge schakelsnelheid hebben bereikt. Volgens de International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020 heeft de technologie van vandaag een feature size van sub-10nm bereikt en gaat zij in de richting van 5,6nm. Om de schaalverkleining vol te houden is het niet alleen van essentieel belang om nieuwe apparaatarchitecturen te ontwikkelen, maar kan het ook nodig zijn om silicium te vervangen. Intel heeft op drietraps transistors gebaseerde bouwstenen ontwikkeld met een poortengte van 14 nm. Multi-Gate FET's en nanodraadtransistorstructuren worden geschikt bevonden voor toepassingen onder het 14nm-technologieknooppunt. Verticale nanodraden ontwikkeld met III-V samengestelde materialen, hoog-gekristalliseerde poortaxidematerialen en metalen poorten leveren echter betere prestaties.