O Desenvolvimento em Tecnologia Baseada em Semicondutores de Gálio-Nitrides

III-nitrides semicondutores, especificamente os materiais baseados em GaN, incluindo o GaN binário e ligas relacionadas com InN e AlN, tais como o AlGaN ternário e o InGaN, bem como o InAlGaN quaternário, foram intensamente investigados nos últimos anos devido às potenciais aplicações para dispositivos optoelectrónicos operando em curto alcance espectral de comprimento de onda e em dispositivos electrónicos de alta potência e alta temperatura. Os materiais à base de GaN são também ideais para o fabrico de detectores UV cegos de alta resposta e visíveis, devido às propriedades únicas que englobam uma ampla e directa abertura de banda, coeficientes de absorção elevados, e um corte brusco da detecção do comprimento de onda. A alta tensão de ruptura e a alta velocidade de saturação também permitem a utilização de materiais à base de GaN para o funcionamento de dispositivos de alta velocidade e aplicações de alta potência, tais como amplificadores de potência para estações base sem fios, amplificadores de baixo ruído, e interruptores de alta potência. Os dispositivos sensores são outra aplicação importante dos materiais à base de GaN, especialmente em ambientes agressivos devido à elevada estabilidade térmica e química destes materiais.