Mouvement des dislocations dans l'hélium-4

Nous avons de¿couvert que le module de cisaillement des monocristaux d¿he¿lium-4 pre¿sentait une grande re¿duction dans une direction particulie¿re quand les dislocations se de¿placent librement. Cette "plasticite¿ ge¿ante" (car due au mouvement des dislocations) apparai¿t ä suffisamment basse tempe¿rature lorsque les phonons thermiques disparaissent et se poursuivrait jusqu¿au ze¿ro absolu si les impurete¿s d¿He-3 e¿taient supprime¿es. En e¿tudiant des monocristaux d¿orientations diffe¿rentes, nous avons identifie¿ le plan de glissement des dislocations : le plan de base de la structure hexagonale compacte. Nous avons aussi de¿montre¿ que l¿amortissement apparaissant ä plus haute tempe¿rature est cause¿ par des collisions avec les phonons thermiques, ce qui nous a permis de mesurer pre¿cise¿ment la densite¿ et la longueur libre des dislocations Une dernie¿re se¿rie de mesures nous ont prouve¿ qu¿il existait une vitesse critique des dislocations en dessous de laquelle les impurete¿s accroche¿es ä la dislocation se de¿placent avec elle. Nous tentons de comparer ce comportement ä celui des cristaux classiques.