MOP-tranzistory s diälektrikom High-K sposobstwuüt tehnologicheskomu progressu

Dostizheniq w tehnologii izgotowleniq high-k pozwolili dobit'sq ogromnogo progressa w mikroälektronnoj promyshlennosti, kak za schet uluchsheniq harakteristik otdel'nyh tranzistorow, tak i za schet wozmozhnosti integracii bol'shego kolichestwa tranzistorow w chip. V blizhajshie gody MOP s high-k mogut izmenit' scenarii sozdaniq tranzistorow malogo razmera. Poätomu issledowaniq ätogo ustrojstwa dolzhny prodolzhat'sq s intensiwnymi äxperimentami. Vliqnie wysokokristallicheskogo diälektrika (TiO2) takzhe nablüdaetsq na NMOS-tranzistore. Obnaruzheno, chto podporogowyj tok utechki umen'shaetsq s uwelicheniem porogowogo naprqzheniq; äto snizhaet potreblqemuü moschnost' i, takim obrazom, uluchshaet harakteristiki NMOS-tranzistora. Snizhenie utechki na zatwore i podporogowogo razmaha delaet wysokokristallicheskuü NMOS-strukturu sil'noj al'ternatiwoj dlq buduschih nanorazmernyh MOS-ustrojstw. Iz analiza takzhe mozhno sdelat' wywod, chto po mere umen'sheniq masshtaba ustrojstw porogowoe naprqzhenie snizhaetsq.