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Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie

Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie

von Norman Böttcher
Softcover - 9783658501501
84,99 €
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Beschreibung

Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Auslösestromwertes selbstständig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand überzugehen und diesen zu halten.

Der inverse Thyristor

Details

Verlag Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH
Ersterscheinung 14. Januar 2026
Maße 21 cm x 14.8 cm
Gewicht 356 Gramm
Format Softcover
ISBN-13 9783658501501
Seiten 212

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