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Beschreibung
En particular, el estudio se enfoca en un modelo matemático, que representa el control del Factor de Landé electrónico de una heteroestructura semiconductora de GaAs/GaAl/As. La no parabolicidad y la anisotropía de las bandas de conducción y de valencia se consideran mediante la utilización del Hamiltoniano de Ogg-McCombe, al respecto se han reportado trabajos previos del director del proyecto, y son el punto de partida para considerar las propiedades del factor de Landé del sistema como función del campo magnético variable aplicado y resultados del estudio de un sistema de muchos cuerpos.
Efectos de la radiación láser en heteroestructuras semiconductoras utilizando métodos numéricos
Details
| Verlag | Editorial Académica Española |
| Ersterscheinung | 02. September 2015 |
| Maße | 22 cm x 15 cm x 0.7 cm |
| Gewicht | 155 Gramm |
| Format | Softcover |
| ISBN-13 | 9783659096808 |
| Seiten | 92 |
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