Modélisation des dispositifs planaires micro-ondes anisotropes

La conception des circuits à haute intégration associée à une miniaturisation accélérée, constitue la principale tendance actuelle de l¿industrie des circuits RF et micro-ondes, conduisant à des contraintes sévères lors de la réalisation. De nombreuses méthodes numériques ont été développées pour l'analyse de ces circuits. Une fois réalisés, il devient difficile de les retoucher en cas d¿imperfection d¿où la nécessité de disposer de méthodes précises qui incluent les effets des matériaux et de la propagation. C¿est ainsi que le caractère anisotrope peut être introduit involontairement lors du processus de fabrication ou de manière délibérée pour réaliser certaines fonctions électroniques en hyperfréquences (circulateurs, isolateurs etc.). Négliger l¿anisotropie conduit à introduire des erreurs significatives dans la conception. Dans ce cadre, notre travail consiste à proposer une modélisation globale des circuits passifs hyperfréquences anisotropes en configuration multicouche par la méthode d'approche dans le domaine spectral. L¿approche proposée a été largement validée par comparaison aux résultats disponibles dans les revues spécialisées des micro-ondes.