Modeli polewyh tranzistorow. Proektirowanie SVCh usilitelej moschnosti

Dannaq rabota poswqschena probleme postroeniq nelinejnyh modelej SVCh polewyh tranzistorow, a takzhe proektirowaniü monolitnyh integral'nyh shem SVCh diapazona. V perwoj glawe priweden obzor sposobow harakterizacii nelinejnyh poluprowodnikowyh ustrojstw i metodow proektirowaniq SVCh usilitelej moschnosti. Vo wtoroj glawe rassmatriwaütsq principy postroeniq malosignal'noj modeli SVCh tranzistora, priwedena awtorskaq metodika postroeniq nelinejnoj modeli dlq geterostrukturnyh SVCh tranzistorow. V tret'ej glawe opisana razrabotannaq metodika proektirowaniq SVCh usilitelej moschnosti na osnowe bol'shesignal'nyh parametrow rasseqniq i nagruzochnym diagramm. Jexperimental'nye rezul'taty postroeniq modelej i proektirowaniq SVCh usilitelej moschnosti rassmotreny w chetwertoj glawe. Dannaq rabota budet polezna nauchnym sotrudnikam, aspirantam i studentam starshih kursow.