Mikrowolnowoe wozdejstwie na nitridnye poluprowodniki pri wysokoj temperature

Cel'ü dannoj raboty qwlqetsq izuchenie mikrowolnowogo wozdejstwiq na nitridnuü keramiku pri wysokoj temperature. Dlq issledowaniq ispol'zuütsq tri obrazca nitridow. Nitrid alüminiq, AlN, nitrid kremniq, SiN, i nitrid bora, BN. Dlq izmereniq mikrowolnowyh diälektricheskih swojstw treh obrazcow ispol'zuetsq metod polnogo komp'üternogo wozmuscheniq rezonatora, rabotaüschij w diapazonah chastot 615 MGc, 1412 MGc, 2214 MGc, 3018 MGc i 3820 MGc pri temperature ot 25 oS do 2000 oS. Mikrowolnowoe wozdejstwie na äti obrazcy mozhno opredelit', otmetiw izmenenie real'noj i mnimoj chastej izmerenij, ¿' i ¿'', diälektricheskih swojstw w mikrowolnowom diapazone chastot pri wysokoj temperature. Dal'nejshee utochnenie mozhno poluchit', rasschitaw zawisqschuü ot temperatury i chastoty älektroprowodnost', ¿, chastotnuü äxponentu n i änergiü aktiwacii, EA, w teh zhe diapazonah mikrowolnowyh chastot i temperatur.