Mikrostruktura szafiru implantowanego jonami

Nauka o technologii implantacji jonowej zajmuje si¿ modyfikacj¿ w¿äciwo¿ci przypowierzchniowych szerokiej gamy materiäów. Technika ta zapewnia doskonä¿ kontrol¿ parametrów implantacji, takich jak zakres dawki, energia jonów oraz temperatura implantacji. Próbki alfa-Al2O3 (szafir) napromieniowano w temperaturze pokojowej (RT) i 1000 stopni C fluencjami 1x10^17 B+/cm^2, 3x10^16 N+/cm^2 i 1x10^17 Fe+/cm^2 o energii 150 keV. Po napromieniowaniu, struktury by¿y badane za pomoc¿ transmisyjnej mikroskopii elektronowej (TEM), spektroskopii Rutherforda (RBS-C), pomiarów absorpcji optycznej, dyfrakcji rentgenowskiej (XRD) i spektroskopii fotoelektronów (XPS). Mikrostruktury napromieniowanych próbek, zdeponowana energia (spr¿¿ysta i nieelastyczna) w funkcji g¿¿boko¿ci od powierzchni, zakres implantowanych gatunków oraz produkcja defektów by¿y modelowane przy u¿yciu programu transport and range of ions in materials (TRIM).