Matematicheskaq model' plenochnogo pokrytiq

Interes k issledowaniü i razrabotke tonkoplenochnyh tehnologij ne oslabewaet wsledstwie perspektiw ih prakticheskogo primeneniq w älektronnoj i optoälektronnoj promyshlennosti. Pri ätom wozmozhnost' prodolzhitel'noj äxpluatacii priborow mikroälektroniki i optoälektroniki w znachitel'noj mere zawisit ot stabil'nosti obrazuüschih ih tonkoplenochnyh struktur. V predstawlennoj rabote awtorom predprinqta popytka izucheniq mehanizma wzaimodejstwiq plenochnogo pokrytiq s uprugim osnowaniem. Razlichie mezhdu parametrami kristallicheskih reshetok materialow plenki i podlozhki obuslawliwaet wozniknowenie w plenke naprqzhenij nesootwetstwiq. Predpolagaetsq, chto, sozdawaemoe pole naprqzhenij aktiwiruet massoperenos wdol' powerhnosti pokrytiq, a pri wysokih temperaturah ¿ i wglub' materiala plenki. Takim obrazom, w kachestwe modeli wolnoobrazowaniq powerhnosti naprqzhennogo tela rassmatriwaetsq model' poteri ustojchiwosti ploskoj formy powerhnosti w rezul'tate diffuzionnyh processow, lokalizowannyh w pripowerhnostnom sloe. Pri ätom uchitywaütsq razlichnye formy äwolücii rel'efa. Pri pomoschi metoda wozmuschenij analiziruetsq koncentraciq naprqzhenij, wyzwannaq iskriwleniem powerhnosti plenki.