La irradiación de electrones de MeV de las heteroestructuras de Si

Se ha estudiado la generación de defectos de radiación por irradiación de electrones de MeV de alta energía de estructura de Si-SiO2 de tipo n y p con diferentes tipos de óxidos. Los cambios morfológicos del óxido de SiO2 durante la irradiación de electrones MeV fueron observados por AFM. Se presentan las estructuras de Si-SiO2 implantadas con iones de Si+ antes y después de la irradiación de electrones de MeV. La redistribución de los átomos de oxígeno y silicio y la generación de nanocristales de Si durante la irradiación de electrones de MeV se observaron mediante las técnicas RBS/C y AFM, respectivamente. También se realizan estudios de propiedades ópticas, fotoluminiscencia y espectroscopia de películas de SiOx irradiadas con electrones de MeV.