La correlación de las propiedades ópticas de las películas finas de ZnO

En el presente trabajo, utilizamos las propiedades ópticas de películas delgadas de óxido de zinc puras y dopadas como semiconductor de tipo n. Las películas delgadas se depositaron con diferentes moléculas de precursor mediante técnicas de pulverización ultrasónica y pirólisis por pulverización, así como a diferentes temperaturas del sustrato, las películas delgadas de ZnO dopadas con diversos dopantes como Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn. En este trabajo la atención se centró en el nuevo enfoque actual para calcular la energía de la brecha óptica y las energías de Urbach. Se estudió el modelo propuesto para calcular la brecha de banda o las energías de Urbach de películas delgadas de ZnO dopadas y no dopadas. La relación entre los datos experimentales y el cálculo teórico con las molaridades de los precursores sugiere que la brecha de banda o las energías de Urbach se estiman predominantemente por la brecha de banda o las energías de Urbach y la concentración de la solución de ZnO.