Kremniewye p+-n-struktury, obluchennyh wysokoänärgeticheskimi ionami

Razwitie fiziki radiacionnyh defektow w kremnii tesno swqzano s resheniem prakticheskih problem sozdaniq bystrodejstwuüschih silowyh tranzistorow i diodow, a takzhe powysheniq radiacionnoj stojkosti poluprowodnikowyh priborow. Aktual'nost' temy raboty opredelqetsq neobhodimost'ü w nowoj informacii: wo-perwyh, o wliqnii nerawnomernogo raspredeleniq radiacionnyh defektow i ih skoplenij na perehodnye processy i perenos zarqda w bar'ernyh strukturah, chto mozhet byt' ispol'zowano dlq otrabotki nowyh radiacionnyh tehnologij uprawleniq staticheskimi i dinamicheskimi parametrami diskretnyh bipolqrnyh poluprowodnikowyh priborow; wo-wtoryh, o defektah, sozdawaemyh pri obluchenii poluprowodnikow wysokoänergeticheskimi tqzhelymi chasticami, chto wazhno dlq prognozirowaniq radiacionnoj stojkosti älektronnyh priborow. V rabote izlozheny rezul'taty issledowanij kremniewyh p+¿n-struktur, obluchennyh wysokoänergeticheskimi ionami wismuta, kriptona, xenona. Predstawleny äxperimental'nye dannye, podtwerzhdaüschie wozmozhnost' ispol'zowaniq oblucheniq ionami wismuta s änergiej 700 MäV w tehnologii proizwodstwa bystrodejstwuüschih silowyh diodow na kremnii.