KMOP MShU s ispol'zowaniem 130-nm tehnologicheskogo processa

Oblast' älektroniki s kazhdym dnem neuklonno dwizhetsq w storonu umen'sheniq masshtaba tehnologij. Sejchas tehnologii odnogo pokoleniq dostigli nanomasshtaba. Poskol'ku tehnologiq umen'shaetsq, ona imeet nekotorye plüsy i minusy. RFIC ispol'zuüt ätu nanotehnologiü dlq äffektiwnoj raboty. No est' nekotorye problemy pri proektirowanii RFIC iz-za masshtabirowaniq tehnologii, takie kak nizkoe änergopotreblenie, proektirowanie razlichnyh shem, takih kak maloshumqschij usilitel' (LNA), smesitel', differencial'nyj usilitel' i t.d., koäfficient shuma, soglasowanie impedansa, linejnost', srok sluzhby RFIC, tok utechki i t.d. Sredi wseh ätih problem linejnost' maloshumqschih usilitelej i koäfficient shuma qwlqütsq prepqtstwiem dlq äffektiwnogo proektirowaniq RFIC.