Kathodolumineszenz-Charakterisierung: Anwendungen bei Nitriden

Diese Arbeit stellt ein zweidimensionales Berechnungsmodell der Kathodolumineszenz-Intensität (CL) vor, das die laterale und Tiefenstreuung der erzeugten Träger, die interne Absorption (Alpha), die Erzeugungsrate, die Mechanismen der intrinsischen und extrinsischen Strahlungsrekombination und die experimentellen Bedingungen der Elektronenanregung berücksichtigt. Eine experimentelle Studie zu GaN unter Verwendung dieser Technik wird vorgestellt, gefolgt von einem Vergleich und einer Validierung. Die Untersuchung des Einflusses einiger physikalischer Parameter wie Streulänge, Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit von Minoritätsträgern und Absorptionskoeffizient auf die Intensität der LC. Der Schwerpunkt wurde auf die Abhängigkeit des LC-Signals von Anregungsparametern gelegt. Um die experimentellen Ergebnisse zu interpretieren und unser Modell zu validieren, untersuchten wir die Wirkung von Stress und den thermischen Effekt, der mit der elektronischen Anregung einhergeht, auf die fundamentale Spitzenentwicklung des CL. Diese Studie erlaubte es uns auch, die Variation der LC-Intensität mit kompetitiven Alpha-Phänomenen, dem lokalen Effekt der Temperatur und dem Effekt der im Material vorhandenen Spannungen zu erklären.