JeUF litografiq na dline wolny 13,5 nm

Proekcionnaq litografiq s dlinoj wolny 193 nm w nastoqschee wremq qwlqetsq klüchewoj tehnologiej pri proizwodstwe älementow mikroälektroniki s pomosch'ü kotoroj osuschestwlqetsq "zapis'" topologicheskogo risunka na fotoreziste s posleduüschim proqwleniem. Blagodarq primeneniü razlichnyh metodow uluchsheniq izobrazhenij razreshenie litograficheskih ustanowok uzhe prewzoshlo difrakcionnyj predel i dostigaet 32 nm. Cenoj ätogo qwlqetsq ogranichennyj nabor topologij, snizhenie proizwoditel'nosti i dorogowizna litograficheskogo processa. Jekonomicheski wygodnoe oswoenie tehnologicheskih norm 10-30 nm swqzywaetsq s litografiej äxtremal'nogo ul'trafioletowogo (JeUF) diapazona, w kotorom osnowoj opticheskih älementow qwlqütsq mnogoslojnye interferencionnye struktury (MIS). Nesmotrq na uspehi, podtwerdiwshie perspektiwy JeUF litografii dlq formirowaniq nanostruktur, na puti k kommercheskomu litografu na 13,5 nm predstoit reshit' eschö rqd nauchnyh i tehnologicheskih problem. V dannoj rabote predlagaütsq metody diagnostiki i optimizacii MIS, izuchaütsq chuwstwitel'nost' i razreshenie JeUF rezistow, istochniki JeUF izlucheniq, polucheny perwye izobrazheniq metodom kontaktnoj litografii.