Inzheneriq defektow w tehnologii poluprowodnikow

Razrabotka nowyh priborow ili suschestwennoe uluchshenie ih parametrow nuzhdaütsq w razwitii fizicheskih osnow inzhenerii defektow w ih tehnologii. Dlq sozdaniq nowogo pokoleniq silowyh wysokowol'tnyh priborow (SVP) potrebowalas' razrabotka tehnologii izgotowleniq struktur s p-n perehodami na osnowe bezdislokacionnogo nejtronno-legirowannogo kremniq bol'shogo diametra. V takih strukturah dominiruüschim tipom strukturnyh defektow qwlqütsq sobstwennye tochechnye defekty (STD) i ih komplexy. Powedenie STD pri harakternyh dlq SVP temperaturah i wremenah ne bylo izucheno, i otwergalos' ih uchastie w formirowanii älektricheski aktiwnyh centrow. Pri zarozhdenii kremniewoj optoälektroniki wyskazywalis' somneniq o wozmozhnosti sozdaniq swetodiodow na osnowe kremniq, poskol'ku on qwlqetsq ne prqmozonnym poluprowodnikom. Sozdanie äffektiwnyh swetodiodow potrebowalo issledowaniq processow obrazowaniq strukturnyh defektow, älektricheski i opticheski aktiwnyh centrow pri legirowanii kremniq ionami ärbiq. V knige predstawleny fizicheskie osnowy inzhenerii defektow w tehnologii kremniewyh silowyh i swetoizluchaüschih struktur. Kniga rasschitana na studentow i prepodawatelej uniwersitetow, aspirantow i nauchnyh rabotnikow.