InSb Nanowire en hun kenmerken

Wij rapporteren de groei van ultrakleine InSb-nanodraden door middel van het dampvloeibare-vaste (VLS) mechanisme door middel van de chemische dampdepositiemethode. De groeiparameters zijn geoptimaliseerd om uniforme en ultrakleine nanodraden te produceren. De structurele eigenschappen van de gegroeide NWs worden bestudeerd door middel van scanning elektronenmicroscopie en atoomkrachtmicroscopie. Scannende elektronenmicroscopie studies bevestigen de tip groeiwijze van nanodraden door middel van VLS mechanisme. De diameters van de gegroeide nanodraden blijken 8-10 nm te zijn. Morfologische kenmerken worden bestudeerd door middel van atoomkrachtmicroscopie. Elke NW bevat een nano-grote Au-katalysator aan de onderkant van de draad die de tip-groeimodus van VLS mechanisme aangeeft.