InSb Nanowire e suas características

Relatamos o crescimento de nanofios ultra pequenos da InSb através do mecanismo de vapor-líquido-sólido (VLS) pelo método de deposição química de vapor. Os parâmetros de crescimento são otimizados para produzir nanofios uniformes e ultra pequenos. As propriedades estruturais dos nanowires crescidos são estudadas através de microscopia eletrônica de varredura e microscopia de força atômica. Estudos de microscopia eletrônica de varredura confirmam o modo de crescimento da ponta dos nanofios através do mecanismo VLS. Os diâmetros dos nanofios cultivados são de 8-10 nm. As características morfológicas são estudadas através da microscopia de força atômica. Cada NW contém um catalisador Au de tamanho nanométrico na extremidade mais inferior do fio, indicando o modo de crescimento da ponta através do mecanismo VLS.