High Speed End Milling van Single Crystal Silicon Wafer

Het bewerken van monokristallijn silicium is een uitdagende en dure aangelegenheid vanwege de hoge hardheid en inherente broosheid van het materiaal. Groot probleem bij conventionele machinale bewerking van brosse materialen zoals silicium is het ontstaan ¿¿van scheuren en beschadigingen onder het oppervlak. Dit boek schetst een vervormbaar bewerkingsproces dat is ontwikkeld voor silicium met behulp van hogesnelheidsfrezen met behulp van diamantgecoate gereedschappen. De ontwikkelde methode bleek de integriteit van het bewerkte oppervlak en een goede oppervlakteafwerking te garanderen. De invloed van de snijparameters, zoals snijsnelheid, voeding en snedediepte, op machinale bewerking in de ductiele modus worden in het boek besproken. Een volledig factorieel ontwerp van 3 niveaus van experimenten met behulp van Response Surface Methodology (RSM) werd gebruikt om een ¿¿regressiemodel van gemiddelde oppervlakteruwheid te ontwikkelen. Het ontwikkelde model is getest met behulp van variantieanalyse (ANOVA) met een betrouwbaarheidsniveau van 95%. De beste gemiddelde oppervlakteruwheid die werd bereikt, was 0,2 ¿m, wat de behoefte aan verder slijpen en ruw polijsten zou kunnen verminderen om kosten en cyclustijd van het bewerken van silicium te besparen.