Gazorazrqdnye processy na kontakte poluprowodnika-gazorazrqdnaq plazma

V monografii predlozhena nowaq konstrukciq poluprowodnikowoj fotograficheskoj sistemy, kotoraq fotopriemnikom infrakrasnogo izlucheniq do ¿ = 4,2 sluzhit Si (Pt). Rezul'taty chislennogo rascheta ob optimal'nom legirowanii metodom termodiffuzii fotopriemnika Si (Pt) srawniwaütsq s äxperimental'nymi dannymi. Priwodqtsq foto-i termoälektricheskie harakteristiki fotograficheskoj sistemy. Monografiq dlq nauchnyh i inzhenernyh - tehnicheskih rabotnikow, specialistow w oblasti fiziki i tehniki poluprowodnikow. Ona mozhet byt' predostawlena ¿¿magistram i doktorantam, a takzhe studentam uniwersitetow i wysshih uchebnyh zawedenij, specializiruüschimisq po poluprowodnikowoj mikroälektronike.