Etude ab initio des semi-conducteurs Chalcopyrites CuGaX2 (X=S, Se)

La recherche dans le domaine du photovoltaïque a comme but d¿améliorer le rendement des cellules solaires en étudiant les propriétés physiques des semi-conducteurs, parmi ces derniers les composés ternaires en phase chalcopyrite comme CuGaX¿ (X=S,Se) qui ont attiré beaucoup d¿attention à cause de leurs propriétés physiques intéressantes et les diverses applications dans les cellules solaires l¿électronique et l¿optique. Notre travail consiste, de ce fait à l¿étude des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs chalcopyrites CuGaS¿ et CuGaSe¿. Les calculs ont été effectués par la méthode FP-LAPW qui se base sur la DFT. Nous avons utilisé la GGA pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation. Nous avons optimisé la valeur du paramètre interne par relaxation des positions des atomes en utilisant les valeurs expérimentales du paramètre du réseau. Les valeurs du paramètre de maille d¿équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant la GGA montrent une amélioration par rapport à ceux trouvés dans d¿autres travaux théoriques et sont plus proches aux données expérimentales.