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Electrical Simulation in the GaN Light-Emitting Diode Dies

Electrical Simulation in the GaN Light-Emitting Diode Dies

von Farn-Shiun Hwu, Gwo-Jiun Sheu und Jyh-Chen Chen
Softcover - 9783838305844
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Beschreibung

When the chip size of light emitting diodes (LEDs) and the input power become larger, current spreading in the active layer will obviously affect the optical, electrical, and thermal packaging performances of the LED chip. To further understand the current spreading behavior in the active layer, a three-dimensional numerical simulation is developed to analyze the electrical characteristic and current distribution of a GaN LEDs device. The results and trends found could serve as useful references for researchers focusing on the design of an LED chip.

Current Spreading Analysis in the Active Layer of LEDs Dies

Details

Verlag LAP LAMBERT Academic Publishing
Ersterscheinung 17. Mai 2010
Maße 22 cm x 15 cm x 0.7 cm
Gewicht 155 Gramm
Format Softcover
ISBN-13 9783838305844
Seiten 92

Schlagwörter

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