Einführung in den Junctionless Double Gate MOSFET

Die in integrierten Schaltkreisen hergestellten Feldeffekttransistoren (FETs) bestehen zum größten Teil aus Übergängen. Aufgrund der Verkleinerung der Bauteile ist die Herstellung dieser Übergänge immer schwieriger geworden. Außerdem ist für das reibungslose Funktionieren des Bauelements ein hoher Dotierungskonzentrationsgradient zwingend erforderlich. In letzter Zeit konzentrieren sich die Forscher auf neue Bauelemente, die ohne Übergänge auskommen und keinen Dotierungsgradienten erfordern. Eine solche Struktur ist der übergangslose Doppel-Gate-MOSFET (JL-DG MOSFET), der eine verbesserte Leistung gegenüber Kurzkanaleffekten, d.h. Drain-induzierter Barrierensenkung (DIBL), Schwellenspannungsänderungen usw., gezeigt hat.