Efeito de Microondas em Semicondutores de Nitreto a Alta Temperatura

O projecto deste trabalho consiste em estudar o efeito de microondas na cerâmica Nitride a alta temperatura. Três amostras de nitretos são utilizadas para este estudo. Nitreto de alumínio, AlN, nitreto de silício, SiN, e nitreto de boro, BN. Uma técnica computorizada completa de perturbação da cavidade que trabalha em gamas de frequência, 615 MHz, 1412 MHz, 2214 MHz, 3018 MHz, e 3820 MHz a uma temperatura que varia entre 25 oC e 2000 oC, está a ser utilizada para medir as propriedades dieléctricas de microondas das três amostras. O efeito de micro-ondas nestas amostras pode ser determinado através da observação da variação das medições reais e imaginárias das peças, ¿' e ¿'', das propriedades dieléctricas na gama de frequências de micro-ondas a altas temperaturas. Outros esclarecimentos serão obtidos através do cálculo da condutividade eléctrica dependente da temperatura e da frequência, ¿, do expoente de frequência n, e da energia de activação, EA, nas mesmas gamas de frequência e temperatura de microondas.