Efecto de las microondas en los semiconductores de nitruro a alta temperatura

El proyecto de este trabajo es estudiar el efecto de las microondas sobre las cerámicas de nitruro a alta temperatura. Para este estudio se utilizan tres muestras de nitruros. Nitruro de aluminio, AlN, nitruro de silicio, SiN, y nitruro de boro, BN. Para medir las propiedades dieléctricas por microondas de las tres muestras se utiliza una técnica de perturbación de la cavidad totalmente informatizada que trabaja en los rangos de frecuencia de 615 MHz, 1412 MHz, 2214 MHz, 3018 MHz y 3820 MHz a una temperatura que oscila entre 25 oC y 2000 oC. El efecto de las microondas en estas muestras puede determinarse observando la variación de las medidas de las partes real e imaginaria, ¿' y ¿'', de las propiedades dieléctricas en el rango de frecuencias de microondas a alta temperatura. Se obtendrán más aclaraciones calculando la conductividad eléctrica dependiente de la temperatura y la frecuencia, ¿, el exponente de frecuencia n, y la energía de activación, EA, en los mismos rangos de frecuencia de microondas y temperatura.