Desenho de SRAM de Baixa Fuga

A maior parte da investigação sobre o consumo de energia dos circuitos tem-se concentrado na potência de comutação e a potência dissipada pela corrente de fuga tem sido a área relativamente menor. No entanto, no processo VLSI actual, a corrente de sub-limiar torna-se um dos principais factores do consumo de energia, especialmente na memória de ponta. Para reduzir a potência de fuga na SRAM, o método de alimentação pode ser aplicado e uma das principais técnicas de alimentação é a utilização de transístores de sono para controlar a corrente de sub-limiar. Neste projecto, são adoptadas tensões de limiar duplo; as células SRAM normais têm tensões de limiar mais baixas e as tensões de limiar mais altas controlam os transístores de sono. O tamanho dos transístores de sono pode ser escolhido pela corrente do pior caso e são aplicados a cada bloco.