Desarrollo de la tecnología basada en semiconductores de nitruro de galio

Los semiconductores de III-nitruros, en concreto los materiales basados en GaN, incluido el GaN binario y las aleaciones relacionadas con InN y AlN, como el AlGaN ternario y el InGaN, así como el InAlGaN cuaternario, se han investigado intensamente en los últimos años debido a sus posibles aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos que funcionan en el rango espectral de longitudes de onda cortas y en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta temperatura. Los materiales basados en GaN también son ideales para la fabricación de detectores UV ciegos visibles y de alta respuesta debido a las propiedades únicas que engloban la brecha de banda ancha y directa, los altos coeficientes de absorción y el corte agudo de la detección de longitud de onda. El alto voltaje de ruptura y la alta velocidad de saturación también permiten el uso de materiales basados en GaN para el funcionamiento de dispositivos de alta velocidad y aplicaciones de alta potencia, como amplificadores de potencia para estaciones base inalámbricas, amplificadores de bajo ruido e interruptores de alta potencia. Los dispositivos sensores son otra aplicación importante de los materiales basados en GaN, especialmente en entornos adversos debido a la gran estabilidad térmica y química de estos materiales.