Crescimento e Caracterização da película fina ITO por Magnetron Sputtering

Neste estudo, as películas finas de óxido de estanho índio (ITO) foram cultivadas tanto por técnicas de pulverização de magnetrões DC como RF. Para conhecer a taxa de deposição de ITO, os sistemas foram calibrados tanto para DCMS como para RFMS e depois as ITO foram cultivadas em substrato de vidro com a espessura de 70 nm e 40 nm por alteração da temperatura do substrato. Foi investigado o efeito da temperatura do substrato, da espessura da película e do método de pulverização catódica nas propriedades estruturais, eléctricas e ópticas. Os resultados mostram que a temperatura do substrato e a espessura da película afectam substancialmente as propriedades da película, especialmente a cristalização e a resistividade. As películas finas cultivadas a uma temperatura inferior a 150 oC mostraram uma estrutura amorfa. No entanto, a cristalização foi detectada com o aumento adicional da temperatura do substrato. Calculou-se que a diferença de banda de ITO era de cerca de 3,64eV à temperatura do substrato de 150 oC, e alargou-se com o aumento da temperatura do substrato. A partir de medições eléctricas, a resistividade à temperatura ambiente foi obtida 1,28×10-4 e 1,29×10-4 D-cm, para os filmes com DC e RF sputtered, respectivamente. Também medimos a resistividade dependente da temperatura e o coeficiente Hall dos filmes, e calculámos a concentração portadora e a mobilidade Hall.