Couplage excitons-lumière dans des hétérostructures en GaN et ZnO

Les semi-conducteurs à grand gap sont utilisés pour fabrication d''émetteurs de lumière dans le domaine spectrale UV-VIS. Matériaux comme GaN et ZnO présentent des propriétés excitoniques spéciales: la force d''oscillateur est élevée et l''énergie de liaison des excitons est grande. Due à l''élargissement inhomogène des excitons assez important dans les hétérostructures, les résonances des excitons sont larges, ce qui rend difficile et imprécise l''extraction de leur paramètres. Ce travail est consacré à l''étude théorique et expérimentale des puits quantiques GaN/AlGaN et ZnO massif, basée sur l''analyse de leurs spectres de réflectivité. Une technique d''analyse originale des spectres de réflectivité expérimentaux a été développée et employée pour la détermination de la force d''oscillateur des excitons dans les structures à base de GaN et ZnO. Les paramètres obtenus ont été utilisés pour proposer des microcavités modèles, réalisées à base de ces matériaux. Grâce au régime de couplage fort exciton-lumière dans ces structures, la condensation de Bose des polaritons dans les microcavités est possible jusqu''à la température ambiante.