Correlazione delle proprietà ottiche dei film sottili di ZnO

Nel presente lavoro, abbiamo utilizzato le proprietà ottiche di film sottili di ossido di zinco puro e drogato come semiconduttore di tipo n. I film sottili sono stati depositati a diverse molarità di precursori mediante tecniche di spray ultrasonico e pirolisi spray e a diverse temperature del substrato, i film sottili di ZnO drogati con vari droganti come Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn. In questo lavoro l'attenzione è stata focalizzata sull'approccio attualmente nuovo per calcolare l'energia di gap ottico e le energie di Urbach. È stato studiato il modello proposto per calcolare il band gap o le energie di Urbach di film sottili di ZnO non drogati e drogati. La relazione tra i dati sperimentali e il calcolo teorico con le molarità dei precursori suggerisce che il band gap o le energie di Urbach sono stimati prevalentemente dal band gap o dalle energie di Urbach e dalla concentrazione della soluzione di ZnO.