Conceção de SRAM em tecnologias nanométricas

Na conceção de VLSI, uma melhoria da tensão de alimentação mínima e uma alteração de alguns segundos de Pico no acesso à memória ou nos tempos de ciclo terão um grande impacto no desempenho da conceção de SoC. A capacidade de escrita e a estabilidade de leitura da célula SRAM são uma preocupação primordial a baixas tensões de alimentação e também para variações de processo, tensão e temperatura. Quando é aplicada uma tensão de alimentação baixa à célula SRAM, a operação de escrita não é efectuada porque a célula não atinge os níveis de tensão desejados. Para reduzir as falhas de escrita a baixas tensões de alimentação, propõe-se um circuito de assistência à escrita que utiliza uma técnica de tensão de linha de bits negativa capaz de ajudar a célula SRAM a passar para os níveis de tensão desejados e de auxiliar a operação de escrita.Quando é aplicada uma tensão de alimentação baixa à célula SRAM, a operação de leitura não é efectuada na célula selecionada e os dados armazenados na célula são perturbados nas células não seleccionadas. A técnica proposta de circuito de assistência à leitura com tensão WL reduzida evita que os dados sejam perturbados em células não seleccionadas e também auxilia a operação de leitura na célula selecionada.