Comprensión del crecimiento de nanocables epitaxiales de InAs/GaAs

Los materiales en escalas más pequeñas presentan propiedades prometedoras que son útiles para una gran variedad de aplicaciones. Los pozos cuánticos de semiconductores y los puntos cuánticos son dos ejemplos principales de sistemas de baja dimensión, donde los pozos cuánticos actúan como sistemas bidimensionales y los puntos cuánticos actúan como sistemas de dimensión cero. Por otra parte, los nanohilos semiconductores actúan como materiales unidimensionales y presentan propiedades prometedoras y aplicables a los dispositivos. Se espera que estos nanohilos semiconductores sean los bloques de construcción de la futura tecnología de dispositivos nanoelectrónicos y nanooptoelectrónicos. La modulación de la composición dentro de un nanohilo individual (heteroestructura) permite el diseño de la estructura de banda de un nanohilo y, por lo tanto, la fabricación de dispositivos de un solo nanohilo. Estas heteroestructuras de nanohilos presentan muchas propiedades potenciales y las consiguientes aplicaciones. Sin embargo, los mecanismos fundamentales de crecimiento de las heteroestructuras de nanohilos no se han explorado lo suficiente debido a su compleja naturaleza de crecimiento. En este sentido, este libro aborda las cuestiones fundamentales asociadas al crecimiento de heteroestructuras de nanohilos epitaxiales y radiales.